米ＩＢＭとＴＤＫは２０日、スピン注入磁化反転法を適用した次世代大容量ＭＲＡＭの研究開発を、共同で開始したと発表した。
ＩＢＭは、ＭＲＡＭメモリーSDmioDooZM=">5oqA6KGT開発、ＭＴＪ要素SDmioDooZM=">5oqA6KGTの研究開発、メモリーにおけるスピン注入磁化反転法の予測・研究での先駆者。一方、ＴＤＫは、ＭＲＡＭの記憶素子部にとって必須であるＭＴＪSDmioDooZM=">5oqA6KGTをＨＤＤ向け記録ヘッドに適用し、普及させてきた。
両社は、今回の共同開発において、メモリー単独や混載メモリーで用いられる高密度・高容量のＭＲＡＭを創るため、それぞれが培ってきた新しいメモリーSDmioDooZM=">5oqA6KGTや磁性素子開発に関する専門知識を活用していく方針。
ＭＲＡＭは、低消費電力・高速動作・書換え耐性・不揮発性（データ保持に電力を必要としない）といった点で、他のメモリーSDmioDooZM=">5oqA6KGTと比較し優れた特長を持っているが、これまでコスト効率よく高容量化することが難しく、市場で広範な採用には至っていなかった。
ＭＲＡＭの特長を維持しながら、スピン注入磁化反転法を適用することで、現行の磁化反転方式と比較しメモリーセルの小型化が可能となり、コストパフォーマンスよく容量を増やすことができるという。
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